s设备）。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子介绍MRAM有哪些的优劣势.
MRAM的核心面积只有SRAM的1/2-1/4，也就是说同面积下缓存容量是sram的2-4倍，可以大幅度降低成本。
CPU的性能要想进一步提升，缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令，而缓存占用的核心面积往往比核心更大（看看IntelCore处理器的架构图就知道了，NVIDIA也曾攻击Intel说他们的芯片其实在卖没技术上的含金量的缓存而已）。
在这方面IBM和希捷在2009年的HPCA（高性能计算机体系结构国际研讨会）上公布过有关L2缓存使用MRAM的研究成果，这里摘录如下：
首先设定一个模型，使用65nm COMS工艺制造SRAM和MRAM，同样的面积下后者的容量可达前者四倍，如果转换成存储cell，那么MRAM的cell数大约是40，而SRAM则是146。
MRAM技术也不是没有死穴，写入性能直线下降就是一例。模拟根据结果得出，MRAM的写入速度下降了12-19%，整体的IPC指令性能直线下降了3-7.5%左右。
写入数据时功耗增加也是MRAM的不足之一，SRAM写入过程只消耗0.797nJ（纳焦），而MRAM需要4.997nJ，是前者的6倍多。不过待机时就不一样了，2MB SRAM需要2.089W功耗，而8MB MRAM只需要0.255W，压倒性的胜利。
MRAM具有可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并能防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业，军及太空应用，这些对于MRAM研发人员来说是重要的部分。
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由于智能电表必须不断记录数据，因此就需要高耐久性的内存。另外，OTA功能的加入，使得内存的高效写入速度更加关键。
的应用是最理想的存储器，它能满足智能电表对高耐久性和快速写入速度的需求。方案及芯片详情官方代理RAMSUN。
产品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数SPI兼容总线MHz。这些持久存储器
在保证非易失性的同时，还能同时拥有SRAM的高速读写性能和DRAM的高度集成度。
在保证非易失性的同时，还能同时拥有SRAM的高速读写性能和DRAM的高度集成度。
是电池储备电源SRAM(BBSRAM)理想的替代产品。Everspin
高速非易失性存储器，常规使用的寿命几乎无限。所具有的综合性能是任何其他半导体存储器件都不能全部拥有的。
位单元的开发方面处于市场领头羊。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进的技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-
的技术路径，这中间还包括磁场驱动型、自旋转移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋轨道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、电压控制磁
) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的
、ReRAM 和 NRAM 等各种 NVM 技术具有相似的高级特征，但它们的物理渲染却大相径庭。这为每个人提供了自己的一系列挑战和解决方案。
是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器
作为新兴内存的潜力取代DRAM和闪存等现有设备,通常使它已经成功取代Toggle
的翘楚，其市场和应用涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。在磁存储器设计，制造和交付...
是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRA...
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到市场和应用程序的翘楚，在这些市场和应用程序中，数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin是
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是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
存储器（DRAM）类似的高密度，而且还具有读取无破坏性、无需消耗能量来进行刷新等
与闪存（FLASH）同样是非易失性的，它还具备了写入和读取速度相同的优点，并具有承受无限多次读一写循环的能力。（在自由磁体层
对于存储器而言，重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、成本、体积、寿命等。已经有很多种类的产品做出了各种各样的努力，但是始终只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也许大家最为看重的是
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写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。Everspin一级代理英尚微电子本文介绍
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